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2N1711 NPN 75V 0,6A 0,8W TO5 (Printvorbereitet)

2N1711 NPN 75V 0,6A 0,8W TO5 (Printvorbereitet) Material des Transistors: Si Polarität: NPN Maximale Kollektorverlustleistung (Pc): 0,8 W Maximale Kollektor-Basis-Spannung | Vcb |: 75 V Maximale Kollektor-Emitter-Spannung | Vce |: 50 V Maximale Emitter-Basis-Spannung | Veb |: 7 V Maximaler Kollektorstrom | Ic max |: 0,6 A Max. Betriebstemperatur der Verbindungsstelle (Tj): 175 ° C Übergangsfrequenz (ft): 70 MHz Kollektorkapazität (Cc): 25 pF Vorwärtsstromübertragungsverhältnis (hFE),...

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2N2894 PNP 12V 200mA 360mW TO18

2N2894 PNP 12 V 200 mA 360 mW TO18 Material des Transistors: Si Polarität: PNP Maximale Kollektorverlustleistung (Pc): 0,36 W Maximale Kollektorgrundspannung | Vcb |: 12V Maximale Kollektoremitterspannung | Vce |: 12V Maximale Emitter-Basis-Spannung | Veb |: 4V Maximaler Kollektorstrom | Ic max |: 0,2 A Max. Betriebstemperatur der Verbindungsstelle (Tj): 200 ° C Übergangsfrequenz (ft): 400 MHz Kollektorkapazität (Cc): 6 pF Vorwärtsstromübertragungsverhältnis (hFE), MIN:...

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2N5415 PNP 200V 1A 10W TO5

2N5415 PNP 200V 1A 10W TO5 Werkstoff: Si Polarity: PNP Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 10 W Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 200 V Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 200 V Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 4 V Kollektorstrom (Ic): 1 A Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 200 °C Transitfrequenz (ft): 115 MHz Kollektor-Kapazität (Cc): 15 pF Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 30 Transistorgehäuse: TO5

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2N5655 NPN 250V 500mA 20W TO126

2N5655 NPN 250V 500mA 20W TO126 Werkstoff: Si Polarity: NPN Gesamt-Verlustleistung (Pc): 20 Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 250 Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 250 Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 0 Kollektorstrom (Ic): 0.5 Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150 Transitfrequenz (ft): 10 Kollektor-Kapazität (Cc), pF: Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 30 Transistorgehäuse: TO126

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AC125 PNP 32V 100mA 500mW TO1

AC125 PNP 32V 100mA 500mW TO1 Werkstoff: Ge Polarity: PNP Gesamt-Verlustleistung (Ptot): 0.5 W Kollektor-Basis-Sperrspannung (Vcb): 32 V Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 12 V Emitter-Basis-Sperrspannung (Veb): 10 V Kollektorstrom (Ic): 0.1 A Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 90 °C Transitfrequenz (ft): 1 MHz Kollektor-Kapazität (Cc): 50 pF Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe) min: 50 Transistorgehäuse: TO1

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AC126 PNP 32V 100mA TO1

AC126 PNP 32V 100mA TO1 Transistormaterial: Ge Polarität: PNP Maximale Kollektorverlustleistung (Pc): 0,5 W Maximale Kollektor-Basis-Spannung |Vcb|: 32 V Maximale Kollektor-Emitter-Spannung |Vce|: 12 V Maximale Emitter-Basis-Spannung |Veb|: 10 V Maximaler Kollektorstrom |Ic max|: 0,1 A Max. Betriebstemperatur des Sperrschichtübergangs (Tj): 90°C Elektrische Eigenschaften: Grenzfrequenz (ft): 1 MHz Kollektorkapazität (Cc): 40 pF Vorwärtsstromübertragungsverhältnis (hFE), MIN: 100 Rauschzahl, dB: - Gehäuse: TO1

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AF139 PNP 15V 10mA 60mW TO72

AF139 PNP 15V 10mA 60mW TO72 Material of Transistor: Ge Polarity: PNP Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.06 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 15 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 15 V Maximum Collector Current |Ic max|: 0.01 A Max. Operating Junction Temperature (Tj): 75 °C Transition Frequency (ft): 275 MHz Collector Capacitance (Cc): 0.3 pF Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10 Noise Figure, dB: - Package:...

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AF240 PNP 15V 10mA 60mW TO72

AF240 PNP 15V 10mA 60mW TO72 Material of Transistor: Ge Polarity: PNP Max. Collector Power Dissipation (Pc): 0.06W Max. Collector base voltage |Vcb|: 15V Max. Collector-Emitter Voltage |Vce|: 15V Max. Collector Current |Ic max|: 0.01A Max. Operating Junction Temperature (Tj): 90°C Transition Frequency (ft): 250 MHz Collector Capacitance (Cc): 0.4pF Forward Current Transfer Ratio (hFE) MIN: 10 Noise Figure, dB: - Package: TO72

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AF256 PNP 25V 10mA 90mW X09

AF256 PNP 25V 10mA 90mW X09 Transistormaterial: Ge Polarität: PNP Maximale Kollektorverlustleistung (Pc): 0,09 W Maximale Kollektor-Basis-Spannung |Vcb|: 25 V Maximale Kollektor-Emitter-Spannung |Vce|: 18 V Maximaler Kollektorstrom |Ic max|: 0,01 A Max. Betriebstemperatur des Sperrschichtübergangs (Tj): 90 °C Übergangsfrequenz (ft): 170MHz Kollektorkapazität (Cc): 0,7 pF Vorwärtsstromübertragungsverhältnis (hFE), MIN: 10 Rauschzahl, dB: - Gehäuse: X09

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L202B Darlington Transistor Array - PMOS Kompatible DIP16

L202B Darlington Transistor Array - PMOS Kompatible DIP16